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    优于闪存 富士通2Mbit FRAM芯片量产

    作者:本宏科技    时间:2013-6-19 14:09:39    阅读次数:3590

    富士通近日宣布了2 Mbit Ferroelectric RAM (铁电随机存储器,简称FRAM或FeRAM)内存芯片的问世。该产品的电气特性和之前该公司的1 Mbit FRAM一样,也采用相同的TSOP-48封装,但容量提高到原来的两倍。

     

    FRAM是一种非易失性内存,利用一种铁电薄膜来存储数据,写入速度比闪存更快,而功率则更低,写入次数更多。

    富士通表示FRAM可以用于智能电表、办公设备存储事件计数,或者存储每个事件的不同参数及日志,而不必考虑写入次数问题。FRAM允许100亿次读写周期,相当于每秒写入30次持续10年。另外,FRAM无需电池就可以将数据保存10年以上。

    FRAM另一个理想的应用是车辆导航系统、多功能打印机、测量仪器等等非易失性内存用于存储各种参数、记录设备操作环境或者安全信息的领域。


    优于闪存 2Mbit FRAM芯片量产开始

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