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    ReRAM


    ReRAM: 可变电阻式随机存取存储器
    ReRAM是一种非易失性存储器,通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压,产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。
    其结构非常简单,两侧电极将金属氧化物包夹于中间,这简化了制造工艺,同时可实现低功耗和高速重写等卓越性能。
    此存储器具备行业最低读取电流,非常适用于可穿戴设备和助听器。

     

    Part Number

    Memory
    Density

    Power
    Supply
    Voltage

    Read
    current

    Operating
    Freq.

    Operating
    Temp.

    Operating
    Temp.

    Package

    MB85AS4MT

    4Mbits

    1.65~3.6V

    10μA

    5MHz

    Unlimited

    -40~85℃

    SOP-8

    MB85AS8MT

    8Mbits

    1.6~3.6V

    5μA

    10MHz

    Unlimited

    -40~85℃

    SOP-8

    WLCSP-11

    样品申请

     



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